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Wechselwirkung von Punktdefekten und Versetzungen in Verbindungshalbleitern

Projektbearbeiter:
Haile Lei
Finanzierung:
Land (Sachsen-Anhalt) ;
Wechselwirkungsprozesse zwischen Liniendefekten und Fremdatomen (Dotierungs- bzw. Verunreinigungselemente) werden in den Verbindungshalbleitern GaAs und InP aufgeklärt. Die Kinetik der Defektbildung im Zuge der Eindiffusion von Schwefel oder Eisen und anschließender Wafertemperung soll auf mikroskopischem Niveau studiert werden, um daraus geeignete Prozeßschritte für die Herstellung homogener Substrate ableiten zu können. In den geplanten Experimenten wird die Fragestellung untersucht, welche Rolle intrinsische Defekte (Leerstellen), Zwischengitteratome und Antisites) bei der Kompensation sowie bei der Ausbildung einer ausgedehnten "Defektzone" um Versetzungen nach gezielter thermischer Behandlung im Vakuum oder unter spezifischer Dampfatmosphäre spielen. Die gebildete Defektzone kann wiederum über den mikroskopischen Diffusionsmechanismus der Fremdatome Aufschluss geben.

Schlagworte

Agglomeratbildung, Agglomeration, Analytik, Defekt, Diffusion, Elektronenmikroskopie, Halbleiter, Simulation, Versetzungen, Wechselwirkung

Geräte im Projekt

Kontakt

PD Dr. Hartmut Leipner

PD Dr. Hartmut Leipner

Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Naturwissenschaftliche Fakultät II

Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften

Heinrich-Damerow-Str. 4

06120

Halle (Saale)

Tel.+49 345 5528473

Fax:+49 345 5527390

hartmut.leipner(at)cmat.uni-halle.de

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