« Projekte
Versetzungsaktivität und Rissbildung in Verbindungshalbleitern
Projektbearbeiter:
Ingmar Ratschinski
Finanzierung:
Land (Sachsen-Anhalt) ;
Versetzungsaktivität und Rissbildung in Verbindungshalbleitern
Die Bildung von Versetzungen und Rissen spielt eine entscheidende Rolle sowohl bei der Züchtung als auch bei der mechanischen Bearbeitung von Halbleiterkristallen. In dem beantragten Projekt werden Versetzungen und Risse in Galliumnitrid detailliert untersucht. Die Arbeiten erfolgen in Kooperation mit Freiberger Compound Materials (FCM), einem führenden Hersteller von Verbindungshalbleitern, der Galliumnitridkristalle für das Projekt zur Verfügung stellt. In dem Projekt werden Versetzungen und Risse durch Indentierungen in die Probenoberfläche erzeugt und mit verschiedenen mikroskopischen Methoden untersucht. Auf dieser Grundlage wird ein Modell für die Anordnung von Versetzungen und Rissen erstellt. Darüber hinaus sollen elementare Wechselwirkungen zwischen Versetzungen und Rissen aufgeklärt werden. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen auch dazu eingesetzt werden, die mechanische Bearbeitungsprozesse von Galliumnitridkristallen, wie z.B. Sägen oder Schleifen, zu optimieren.

Schlagworte

cathodoluminescence, cracks, dislocations, gallium arsenide, gallium nitride, sources

Geräte im Projekt

Kooperationen im Projekt

Publikationen

2011
Die Daten werden geladen ...
2010
Die Daten werden geladen ...
2009
Die Daten werden geladen ...
Kontakt
PD Dr. Hartmut Leipner

PD Dr. Hartmut Leipner

Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Naturwissenschaftliche Fakultät II

Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften

Heinrich-Damerow-Str. 4

06120

Halle (Saale)

Tel.+49 345 5528473

Fax:+49 345 5527390

hartmut.leipner(at)cmat.uni-halle.de

weitere Projekte

Die Daten werden geladen ...