Versetzungsaktivität und Rissbildung in Verbindungshalbleitern

Die Bildung von Versetzungen und Rissen spielt eine entscheidende Rolle sowohl bei der Züchtung als auch bei der mechanischen Bearbeitung von Halbleiterkristallen. In dem beantragten Projekt werden Versetzungen und Risse in Galliumnitrid detailliert untersucht. Die Arbeiten erfolgen in Kooperation mit Freiberger Compound Materials (FCM), einem führenden Hersteller von Verbindungshalbleitern, der Galliumnitridkristalle für das Projekt zur Verfügung stellt. In dem Projekt werden Versetzungen und Risse durch Indentierungen in die Probenoberfläche erzeugt und mit verschiedenen mikroskopischen Methoden untersucht. Auf dieser Grundlage wird ein Modell für die Anordnung von Versetzungen und Rissen erstellt. Darüber hinaus sollen elementare Wechselwirkungen zwischen Versetzungen und Rissen aufgeklärt werden. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen auch dazu eingesetzt werden, die mechanische Bearbeitungsprozesse von Galliumnitridkristallen, wie z.B. Sägen oder Schleifen, zu optimieren.