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Thermoelektrische Charakterisierung und lithographische Strukturierung von Si-Ge-Schichtstrukturen

Projektbearbeiter:
Katrin Bertram, Markus Trutschel, Andreas Kipke
Finanzierung:
Bund;
In Fokus stehen die technologischen Grundlagen für effiziente thermoelektrische Dünnschichtbauelemente auf Silicium- und Germaniumbasis. Hierfür soll das Potential der Nanostrukturierung zur Realisierung von Si- bzw. Si-Ge-basierten Dünnschichten gezielt eingesetzt und transferiert werden. Die Herausforderung des Projekts besteht in der Messung der relevanten Transportgrößen, die den Gütefaktor bestimmen. Diese müssen für die Schichtstrukturen sowohl in einer In-Plane- als auch Cross-Plane-Geometrie gemessen werden. Das Ziel ist die Demonstration von thermolektrischen Si-Strukturen, die eine erhebliche Steigerung der Effizienz aufweisen und herkömmliche Materialien ersetzen können. 

Schlagworte

epilayers, lithography

Kontakt

PD Dr. Hartmut Leipner

PD Dr. Hartmut Leipner

Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Naturwissenschaftliche Fakultät II

Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften

Heinrich-Damerow-Str. 4

06120

Halle (Saale)

Tel.+49 345 5528473

Fax:+49 345 5527390

hartmut.leipner(at)cmat.uni-halle.de

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