Wachstum von Silicium-Nanokristallen mittels Molekularstrahlepitaxie
Projektleiter:
Projektbearbeiter:
L. Schubert
Finanzierung:
Forschergruppen:
Das epitaktische Wachstum von Silicium-Nanodrähten wird unter Reinstbedingungen mittels Molekularstrahlepitaxie untersucht. Ziel ist das Verständnis des zugrundeliegenden Mechanismus. Der Einfluss verschiedener Parameter wie Substratorientierung, -temperatur, Partikelgröße etc. auf die Bildung der Drähte und deren Defektstruktur wird studiert. Erste Versuche zur Bildung von SiGe-Nanodrähten werden unternommen.
Schlagworte
Wachstum, epitaktisches
Geräte im Projekt
Kontakt
PD Dr. Hartmut Leipner
Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Naturwissenschaftliche Fakultät II
Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
Heinrich-Damerow-Str. 4
06120
Halle (Saale)
Tel.:+49 345 5528473
weitere Projekte
Die Daten werden geladen ...