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Wachstum von Silicium-Nanokristallen mittels Molekularstrahlepitaxie
Projektbearbeiter:
L. Schubert
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Das epitaktische Wachstum von Silicium-Nanodrähten wird unter Reinstbedingungen mittels Molekularstrahlepitaxie untersucht. Ziel ist das Verständnis des zugrundeliegenden Mechanismus. Der Einfluss verschiedener Parameter wie Substratorientierung, -temperatur, Partikelgröße etc. auf die Bildung der Drähte und deren Defektstruktur wird studiert. Erste Versuche zur Bildung von SiGe-Nanodrähten werden unternommen.

Schlagworte

Wachstum, epitaktisches

Geräte im Projekt

Kontakt
PD Dr. Hartmut Leipner

PD Dr. Hartmut Leipner

Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Naturwissenschaftliche Fakultät II

Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften

Heinrich-Damerow-Str. 4

06120

Halle (Saale)

Tel.+49 345 5528473

Fax:+49 345 5527390

hartmut.leipner(at)cmat.uni-halle.de

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