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Verbesserung der Kristallqualität von GaN-Einkristallen
Projektbearbeiter:
Ingmar Ratschinski, Jörg Haeberle
Finanzierung:
Industrie;
Die Eigenschaften von Galliumnitridvolumenkristallen werden entscheidend durch das Vorhandensein ausgedehnter Kristalldefekte beeinflusst. Um den Züchtungsprozess optimieren zu können, ist ein vertieftes Verständnis der Defektbildung erforderlich. Es werden transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zu Charakterisierung von Versetzungen, Ausscheidungen und anderer Defekte in gewachsenen Volumenkristallen angestellt. Diese Experimente werden ergänzt durch gezielte Deformationsexperimente bei verschiedenen Temperaturen. Die elektronenmikroskopischen Untersuchungen werden mit Positronenannihilationsmessungen korelliert, um Aussagen zur Bildung leerstellenartiger Defekte zu gewinnen.

Schlagworte

deformation, positron annihilation, temperature dependence

Geräte im Projekt

Kooperationen im Projekt

Kontakt
PD Dr. Hartmut Leipner

PD Dr. Hartmut Leipner

Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Naturwissenschaftliche Fakultät II

Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften

Heinrich-Damerow-Str. 4

06120

Halle (Saale)

Tel.+49 345 5528473

Fax:+49 345 5527390

hartmut.leipner(at)cmat.uni-halle.de

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