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Untersuchungen zur Strukturierung, Passivierung und Kontaktierung von Thyristoren auf Siliziumcarbid
Projektbearbeiter:
E. P. Burte
Finanzierung:
Fördergeber - Sonstige;
Für die spätere Realisierung von GTO-Thyristoren auf Siliziumcarbid-Material werden SiC-Scheiben technologisch im Reinraum des Lehrstuhls für Halbleitertechnologie bearbeitet. Dabei sind die Mesa-Strukturierung der Bauelemente durch einen Plasmaätzprozeß mit einer ICP-Plasmaquelle, das Aufbringen von passivierenden Schichten auf Mesa-strukturierte p-n Übergänge und die Kontaktierung von p- und n-dotiertem Siliziumcarbid Gegenstand der Untersuchungen.

Anmerkungen

INSTITUT FRANCO-ALLEMAND de RECHERCHES de SAINT-LOUIS

Schlagworte

Technologie, angepaßte
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