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Übergangsmetall-nitrid-AIGaN Schichten mittels Sputterepitaxie
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Forschergruppen:
Um weitere Verbesserungen in der GaN-Leistungselektronik zu
erzielen und neue Bauelementstrukturen sowie Bauelementdesigns
zu ermöglichen, werden wir Übergangsmetallnitride, deren
Legierungen sowie deren Legierungen mit AlN und GaN untersuchen.
Dies mit dem Ziel, eine echte, voll vertikale Elektronik auf
kostengünstigen Siliziumsubstraten und normally-off high electron
mobility Transistoren (HEMT) mit höherer Stromdichte und damit
kompakterer Bauweise als bisher zu ermöglichen. Darüber hinaus
werden wir eine neue Wachstumsmethode anwenden, die gepulste
Sputter-Epitaxie, mit der hochwertige GaN-Schichten bei
Temperaturen unter 800 °C gezüchtet werden können, womit sich ein
großes Potenzial für die Si-CMOS-Integration der GaN-Elektronik
eröffnet. Um neue Materialien zu identifizieren, die geeignet sind,
leitende Pufferschichten für die anschließende GaN-Epitaxie zu
erzielen, sowie neue oder bessere Funktionalitäten von
Bauelementen der Gruppe-III-nitride zu erreichen, werden wir
Übergangsmetallnitride (TM) sowie deren Legierungen mit AlN und
GaN, auf ihr Potenzial für elektronische Anwendungen der Gruppe-IIINitride
untersuchen. Dazu werden zunächst die Eigenschaften von
reinen und legierten Gruppe-IIIb-IVb- und Vb-Nitriden (Cr, V, Ti, Sc,
Nb, Zr, Ta, Hf) mit AlN und in einigen Fällen auch mit GaN untersucht.
Unser Ziel ist eine Datenbasis mit Kristallstruktur, Gitterparametern,
elektrischen und optischen Eigenschaften für eine Vielzahl von
Zusammensetzungen. Im Detail wird das Potenzial dann an dünnen
Schichten für die Anwendung als aktive Schicht in elektronischen
Bauelementen untersucht werden, z.B. zur Polarisationsoptimierung
in HEMTs oder für neuartige HEMT-Strukturen, z.B. mit binären,
hochleitfähigen GaN / ScN / GaN-Kanälen oder als dickere,
hochleitfähige Pufferschicht oder auch als elektrisch leitende,
rissvermeidende Schichten, die echte vertikale, elektronische
Bauelemente auf Si-Substraten ermöglichen soll. Für letztere sind
reine TMN-Legierungen oder TMN-Legierungen mit AlN die
vielversprechendsten Kandidaten, während für aktive Schichten
neben binären TMN-Schichten auch Legierungen mit GaN interessant
sind. Aufgrund der bislang bekannten Eigenschaften der TMNs
erwarten wir, dass sowohl vollständig vertikale Bauelemente auf Si als
auch bessere HEMT-Bauelemente erzielbar sind und zu einer
weiteren Erhöhung der Leistungsdichte von GaN basierten
Bauelementen führen wird.

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