Photoelektronenspektroskopie und Photoelektronenbeugung an dünnen Schichten von Übergangsmetalloxiden

Die besonderen elektronischen und magnetischen Eigenschaften von Übergangsmetalloxiden machen sie zu viel versprechenden Kandidaten für den Einsatz in Tunnel-Magnetwiderstands-(TMR)-Bauelementen. Dazu wird in diesem Projekt die elektronische und geometrische Struktur dünner Oxidschichten mittels winkelaufgelöster und resonanter Photoemission bzw. mittels Photoelektronenbeugung und mit Rastersondentechniken bestimmt. Im Mittelpunkt stehen NiO, CoO, MnO und Eisenoxide. Darüber hinaus soll das für TMR-Anwendungen wichtige Wachstum von Metallschichten am Beispiel von Co auf Übergangsmetalloxiden untersucht werden. Da für Mn, Fe und Co schon im Volumenmaterial mehrere Oxide existieren, sollen die verschiedenen Spezies mit hochaufgelöster Rumpfelektronenspektroskopie unterschieden und ihre wachstumsabhängige Bildung verfolgt werden. Mittels Photoelektronenbeugung sowohl im angle scan mode als auch im energy scan mode soll die geometrische Struktur, insbesondere die Relaxationen in den La-genabständen und die Struktur an der vergrabenen Grenzfläche von Metall und Oxidschicht, bestimmt werden.