« Projekte
Grundlagen für die 200 mm GaAs-Kristallzüchtung und Substratpräparation
Projektbearbeiter:
V. V. Mikhnovich
Finanzierung:
Bund;
Die Züchtung von immer größeren GaAs-Kristallen mit niedriger Versetzungsdichte macht die Modellierung der plastischen Verformungsvorgänge bei hohen Temperaturen zu einem dringenden Erfordernis. Gegenstand des Projekts ist das Studium mechanischer Eigenschaften von undotiertem und dotiertem GaAs bei Temperaturen oberhalb 800 °C, die bisher nur unzureichend in der Grundlagenforschung zugänglich gemacht wurden. Die dominanten Prozesse der Versetzungsbewegung in diesem Temperaturbereich werden neben der Analyse der Spannungs-Dehnungs-Kurven mit mikroskopischen und spektroskopischen Techniken charakterisiert. Ein Schwerpunkt liegt auf der lokalen Erfassung der Versetzungskletterprozesse bei variabler Stöchiometrie bzw. Punktdefektpopulation im Kristall.

Schlagworte

Deformation, Elektronenmikroskopie, Halbleiter, Kristallisation, Spektroskopie, Versetzungen

Geräte im Projekt

Kontakt
PD Dr. Hartmut Leipner

PD Dr. Hartmut Leipner

Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg

Naturwissenschaftliche Fakultät II

Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften

Heinrich-Damerow-Str. 4

06120

Halle (Saale)

Tel.+49 345 5528473

Fax:+49 345 5527390

hartmut.leipner(at)cmat.uni-halle.de

weitere Projekte

Die Daten werden geladen ...