Grundlagen für die 200 mm GaAs-Kristallzüchtung und Substratpräparation

Die Züchtung von immer größeren GaAs-Kristallen mit niedriger Versetzungsdichte macht die Modellierung der plastischen Verformungsvorgänge bei hohen Temperaturen zu einem dringenden Erfordernis. Gegenstand des Projekts ist das Studium mechanischer Eigenschaften von undotiertem und dotiertem GaAs bei Temperaturen oberhalb 800 °C, die bisher nur unzureichend in der Grundlagenforschung zugänglich gemacht wurden. Die dominanten Prozesse der Versetzungsbewegung in diesem Temperaturbereich werden neben der Analyse der Spannungs-Dehnungs-Kurven mit mikroskopischen und spektroskopischen Techniken charakterisiert. Ein Schwerpunkt liegt auf der lokalen Erfassung der Versetzungskletterprozesse bei variabler Stöchiometrie bzw. Punktdefektpopulation im Kristall.