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Entwicklung Epitaxierezept für GaN-auf-Saphir mit definiertem Spannungszustand
Finanzierung:
Industrie;
Ein Epitaxierezept zum Wachstum einer definiert vorgespannten GaN auf Saphir Schicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie wird entwickelt. Der Wachstumsprozess wird im Detail mit den wesentlichen Parametern für einen Wachstumserfolg dokumentiert

Schlagworte

GaN

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