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Atomlagenabscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid
Projektbearbeiter:
Dr. Mindaugas Silinskas
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Atomlagenabscheidung von Germanium-Antimon-Tellurid
REM-Aufnahmen von Schichten auf Kupfer (li.) und Iridium (re.)
Im Rahmen des vorliegenden Projektes soll ein Atomlagenabscheidungsprozess für dünne Schichten aus Germanium-Antimon-Tellurid entwickelt werden. Das ternäre Stoffsystem Germanium-Antimon-Tellurid eignet sich besonders zur Verwendung in nicht-flüchtigen Phasenwechsel-Speicherzellen der Halbleitertechnik.

Ausschließlich halogenfreie metallorganische Germanium-, Antimon- und Tellurverbindungen sollen verwendet werden, um spätere Korrosionserscheinungen in Bauelementen ausschließen zu können. Abgeschiedene Schichten werden hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, Struktur und elektrischer Eigenschaften untersucht.
Darüber hinaus sollen Germanium-Antimon-Tellurid-basierte Phasenwechsel-Speicherzellen hergestellt und die Bauelemente-Strukturen hinsichtlich der Phasenübergänge amorph/kristallin, kristallin/amorph und der damit verbundenen Ohm´schen Widerstände und aufzuwendenden Energiepulse, sowie hinsichtlich der Langzeitstabilität charakterisiert werden.

Schlagworte

ALD, Germanium-Antimon-Tellurid, Halbleitertechnologie, Reinraum

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