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Atomlagenabscheidung von Dotieroxiden
Projektbearbeiter:
Dr.-Ing. Bodo Kalkofen
Finanzierung:
Industrie;
Atomlagenabscheidung von Dotieroxiden
Atomlagenabscheidung von Dotieroxiden
Mittels Atomlagenabscheidung (ALD) hergestellte dünne Schichten aus Antimonoxid, Boroxid und Phosphoroxid werden zur Vorbelegung und Dotierung beliebig dreidimensionaler Strukturen, insbesondere von Nanodrähten, in modernsten CMOS-Silizium- und Germaniumtechnologien mit Strukturgrößen unter 10 Nanometern verwendet. Im Rahmen des Projektes werden Atomlagenabscheidung, Aktivierung und Eintreiben der Dotierstoffe, sowie die erzielten Dotierprofile mit pn-Übergangstiefen im Bereich um 5 Nano­meter untersucht. Dafür stehen in einem Reinraumlabor sowohl vom Lehrstuhl entwickelte und gebaute ALD-Anlagen als auch eine kommerzielle ALD-Anlage des Herstellers Sentech Instruments GmbH mit einer ICP-Plasmaquelle für Experimente zur Verfügung.

Schlagworte

Atomlagenabscheidung, ultraflache pn-Übergänge
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