Thermal Assessment of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors

Ein besonders vielversprechender neuartiger Transistortyp (AlInN HEMT) erlaubt z.B. höhere Stromdichten als herkömmliche Strukturen. Die Betriebssicherheit dieses Transistortyps ist bislang nicht ausreichend untersucht  und soll mittels Vergleichen von Transistor-Kennlinien zu bildgebenden thermischen Verfahren analysiert  werden. Insbesondere wird Raman-Spektroskopie zum Einsatz kommen.

A particularly promising new type of transistor (AlInN HEMT), for example, allows higher current densities than conventional structures. The operational safety of this type of transistor has not yet been sufficiently investigated and will be analyzed by comparing transistor characteristics with thermal imaging methods. Raman spectroscopy will be used in particular.
This text was translated with DeepL