Outstanding reliability of heavy ion irradiated AlInN/GaN on silicon HFETs
Vega, Nahuel A. ; Dadgar, Armin ; Strittmatter, André ; Challa, Seshagiri Rao ; Ferreyra, Romualdo A. ; Kristukat, Christian ; Muller, Nahuel A. ; Debray, Mario E. ; Schmidt, Gordon ; Witte, Hartmut ; Christen, JürgenUniversitätsplatz 2
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Mikroskopische Charakterisierung innovativer Halbleitersysteme für neuartige Bauelementanwendungen in der Nano- und Optoelektronik. Korrelation der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von:
- Halbleiter-Nanostrukturen: Quantum Wells, Supergitter, Quantenfäden und Quantenpunkten
- Photonische Strukturen (Licht-Materie-Kopplung, Micro Cavities, Photonic Bandgap)
- Neue "wide-gap" Halbleitermaterialien für Optoelektronik im grünen, blauen, violetten und UV
- Ordnungs- und Entmischungsphänomene in ternären und quaternären Halbleitern: GaInP, InGaN, AlGaN, ...
- Halbleiterbauelemente: LEDs, Laser, Detektoren, Sensoren, Ein-Elektronen-Transistoren
- Entwicklung neuartiger hochauflösender bildgebender Lumineszenzmeßmethoden mit submikroskopischer bis atomarer Ortsauflösung
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