«
Publikationen
Sie verwenden einen sehr veralteten Browser und können Funktionen dieser Seite nur sehr eingeschränkt nutzen. Bitte aktualisieren Sie Ihren Browser. http://www.browser-update.org/de/update.html
Metalorganic chemical vapor phase epitaxy of narrow-band distributed Bragg reflectors realized by GaN:Ge modulation doping
Berger, Christoph ; Lesnik, Andreas ; Zettler, Thomas ; Schmidt, Gordon ; Veit, Peter ; Dadgar, Armin ; Bläsing, Jürgen ; Christen, Jürgen ; Strittmatter, AndréJournal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Bd. 440.2016, S. 6-12;
Impact : 1.698
Universitätsplatz 2
39106 Magdeburg
Tel.:+49 391 6718669
Fax:+49 391 6711130
Forschungsschwerpunkte:
Mikroskopische Charakterisierung innovativer Halbleitersysteme für neuartige Bauelementanwendungen in der Nano- und Optoelektronik. Korrelation der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von:
- Halbleiter-Nanostrukturen: Quantum Wells, Supergitter, Quantenfäden und Quantenpunkten
- Photonische Strukturen (Licht-Materie-Kopplung, Micro Cavities, Photonic Bandgap)
- Neue "wide-gap" Halbleitermaterialien für Optoelektronik im grünen, blauen, violetten und UV
- Ordnungs- und Entmischungsphänomene in ternären und quaternären Halbleitern: GaInP, InGaN, AlGaN, ...
- Halbleiterbauelemente: LEDs, Laser, Detektoren, Sensoren, Ein-Elektronen-Transistoren
- Entwicklung neuartiger hochauflösender bildgebender Lumineszenzmeßmethoden mit submikroskopischer bis atomarer Ortsauflösung
Mikroskopische Charakterisierung innovativer Halbleitersysteme für neuartige Bauelementanwendungen in der Nano- und Optoelektronik. Korrelation der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von:
- Halbleiter-Nanostrukturen: Quantum Wells, Supergitter, Quantenfäden und Quantenpunkten
- Photonische Strukturen (Licht-Materie-Kopplung, Micro Cavities, Photonic Bandgap)
- Neue "wide-gap" Halbleitermaterialien für Optoelektronik im grünen, blauen, violetten und UV
- Ordnungs- und Entmischungsphänomene in ternären und quaternären Halbleitern: GaInP, InGaN, AlGaN, ...
- Halbleiterbauelemente: LEDs, Laser, Detektoren, Sensoren, Ein-Elektronen-Transistoren
- Entwicklung neuartiger hochauflösender bildgebender Lumineszenzmeßmethoden mit submikroskopischer bis atomarer Ortsauflösung
