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Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH3-MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs
Yacoub, Hady ; Zweipfennig, Thorsten ; Kalisch, Holger ; Vescan, Aandrei ; Dadgar, Armin ; Wieneke, Matthias ; Bläsing, Jürgen ; Strittmatter, André ; Rennesson, Stephanie ; Semond, Fabrice
Physica status solidi / A - Weinheim : Wiley-VCH - Vol. 215.2018, 9, Art. 1700638
Impact : 1.775
Bibliographie: Begutachteter Zeitschriftenartikel Link
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