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Publikationen
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High-sheet-charge-carrier-density AllnN/GaN field-effect transistors on Si(111).
Dadgar, Armin ; Schulze, Fabian ; Blaesing, Juergen ; Diez, Annette ; Krost, Alois ; Neuburger, M. ; Kohn, E. ; Daumiller, I. ; Kunze, M.Applied physics letters [Melville, NY] 85(2004), Nr. 22, S. 5400 - 5402
Impact : 4.049
Bibliographie: Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift