Clustered quantum dots in single GaN islands formed at threading dislocations
Schmidt, Gordon ; Veit, Peter ; Berger, Christoph ; Bertram, Frank ; Dadgar, Armin ; Strittmatter, André ; Christen, JürgenUniversitätsplatz 2
39106 Magdeburg
Tel.:+49 391 6718669
Fax:+49 391 6711130
Mikroskopische Charakterisierung innovativer Halbleitersysteme für neuartige Bauelementanwendungen in der Nano- und Optoelektronik. Korrelation der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von:
- Halbleiter-Nanostrukturen: Quantum Wells, Supergitter, Quantenfäden und Quantenpunkten
- Photonische Strukturen (Licht-Materie-Kopplung, Micro Cavities, Photonic Bandgap)
- Neue "wide-gap" Halbleitermaterialien für Optoelektronik im grünen, blauen, violetten und UV
- Ordnungs- und Entmischungsphänomene in ternären und quaternären Halbleitern: GaInP, InGaN, AlGaN, ...
- Halbleiterbauelemente: LEDs, Laser, Detektoren, Sensoren, Ein-Elektronen-Transistoren
- Entwicklung neuartiger hochauflösender bildgebender Lumineszenzmeßmethoden mit submikroskopischer bis atomarer Ortsauflösung