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Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Im Rahmen dieses Projekts werden GaN-basierte Lichtemitter- und Transistorstrukturen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) auf Silizium Substraten hergestellt. Dabei soll insbesondere die normalerweise auftretende Rißbildung von GaN mit Dicken oberhalb von 1 mikron auf Si verhindert werden. Ziel ist es unter anderem GaN basierte Schichten mit bauelementrelevanten Schichtdicken von mindestens 3 mikron rißfrei auf Silizium abscheiden zu können.

Schlagworte

FET, Halbleiter, LED, Leuchtdiode, MOCVD, MOVPE, Transistor
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