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Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Im Rahmen dieses Projekts werden GaN-basierte Lichtemitter- und mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) auf Silizium Substraten hergestellt. Dabei soll vor allen Dingen das Wachstum auf Si(100) und neuartoge Materialien für den grünen Wellenlängenbereich untersucht werden.

Schlagworte

FET, Halbleiter, LED, Leuchtdiode, MOCVD, MOVPE, Transistor
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