Spin-orbit materials, emergent phenomena and related technology training (SPEAR)
Projektleiter:
Projekthomepage:
Finanzierung:
EU - HORIZONT 2020;
Forschergruppen:
Doktorandennetzwerk zur Spinorbitronik
In der Quantenphysik ist die Spin-Orbit-Interaktion eine relativistische Interaktion des Spins eines Partikels mit seiner Bewegung in einem Potenzial. Das im Rahmen der Marie-Sklodowska-Curie-Maßnahmen finanzierte Projekt SPEAR ist ein interdisziplinäres europäisches Netzwerk, das sieben Universitäten, drei Forschungszentren sowie sieben kleine und mittlere Unternehmen an einen Tisch bringt, die Nachwuchsforschenden Schulungen im Bereich der grundlegenden und angewandten Spinorbitronik anbieten werden. SPEAR wird sein Hauptaugenmerk auf die weitere Erforschung des Spin-Orbit-Drehmoments, die Umwandlung von Spin in Ladung, zweidimensionale magnetische Werkstoffe, Spin-Hall-Nanooszillatoren, die Spannungsregelung bei der magnetischen Anisotropie sowie Skyrmionen richten. Werkstoffe mit einer starken Spin-Orbit-Kopplung ebnen magnetischen Random-Access-Memorys den weg, die gut aufgestellt sind, um herkömmliche Computerspeicher auf Basis von komplementären Metalloxid-Halbleitern zu ersetzen.
In der Quantenphysik ist die Spin-Orbit-Interaktion eine relativistische Interaktion des Spins eines Partikels mit seiner Bewegung in einem Potenzial. Das im Rahmen der Marie-Sklodowska-Curie-Maßnahmen finanzierte Projekt SPEAR ist ein interdisziplinäres europäisches Netzwerk, das sieben Universitäten, drei Forschungszentren sowie sieben kleine und mittlere Unternehmen an einen Tisch bringt, die Nachwuchsforschenden Schulungen im Bereich der grundlegenden und angewandten Spinorbitronik anbieten werden. SPEAR wird sein Hauptaugenmerk auf die weitere Erforschung des Spin-Orbit-Drehmoments, die Umwandlung von Spin in Ladung, zweidimensionale magnetische Werkstoffe, Spin-Hall-Nanooszillatoren, die Spannungsregelung bei der magnetischen Anisotropie sowie Skyrmionen richten. Werkstoffe mit einer starken Spin-Orbit-Kopplung ebnen magnetischen Random-Access-Memorys den weg, die gut aufgestellt sind, um herkömmliche Computerspeicher auf Basis von komplementären Metalloxid-Halbleitern zu ersetzen.
Anmerkungen
MSCA-ITN-2020 - Innovative Training Network
Publikationen
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Kontakt
Prof. Dr. Ingrid Mertig
Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Naturwissenschaftliche Fakultät II
Von-Seckendorff-Platz 1
06120
Halle (Saale)
Tel.:+49 345 5525430
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