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DFG Forschergruppe FOR 957: Polarisations-Feld-Kontrolle in Nitrid-Licht-Emitter; Teilprojekt: Polarization reduced GaN layers for light emitters on planar silicon substrates
Projektbearbeiter:
A. Dadgar, A. Krost
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Auf hochindizierten Si(11h) Substraten erden AlN/GaN Schichtstapel mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Diese Schichten weisen eine Neigung der polaren c-Achse zur Oberflächennormalen auf womit sich der QCSE reduzieren lässt. Nach den Wachstumsuntersuchungen sollen abschließend LED Strukturen die Stärke des QCSE je nach Kippwinkel aufzeigen.

Schlagworte

GaN, GaN-on-Si, QCSE

Publikationen

2012
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2011
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Kontakt

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