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Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten
Projektleiter:
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Im Rahmen dieses Projekts werden GaN-basierte Lichtemitter- und mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) auf Silizium Substraten hergestellt. Dabei soll vor allen Dingen das Wachstum auf Si(100) und neuartoge Materialien für den grünen Wellenlängenbereich untersucht werden.

Schlagworte

FET, Halbleiter, LED, Leuchtdiode, MOCVD, MOVPE, Transistor
Kontakt

apl. Prof. Dr. Armin Dadgar

Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Fakultät für Naturwissenschaften

Institut für Physik

Universitätsplatz 2

39106

Magdeburg

Tel.:+49 391 6751384

armin.dadgar@ovgu.de

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