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Langzeitzuverlässigkeit SiC-basierter Leistungsmodule
Projekthomepage:
Finanzierung:
BMWi/AIF;
Langzeitzuverlässigkeit SiC-basierter Leistungsmodule
Vergleich von Lastwechsel-Ergebnissen bei unterschiedlicher Test-Beschleunigung
Ziel ist die Entwicklung und Validierung eines Verfahrens zur testbasierten Qualifizierung von Leistungsmodulen auf Basis von Silizium-Karbid (SiC) für extrem hohe Zyklenzahlen. Dazu werden SiC-MOSFETs mit neuartiger und hochzuverlässiger Aufbau- und Verbindungstechnik mittels Lastwechseltests untersucht. Der Fokus liegt hierbei auf Prüfmethoden und Strategien zur Raffung der Tests, Konzepten für in-situ Fehlerindikation, Verfahren zur Kompensation von SiC-spezifischen Drifteffekten sowie dem physikalischen Verständnis der Fehlermechanismen.

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