Entwicklung Epitaxierezept für GaN-auf-Saphir mit definiertem Spannungszustand
Projektleiter:
Finanzierung:
Industrie;
Ein Epitaxierezept zum Wachstum einer definiert vorgespannten GaN auf Saphir Schicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie wird entwickelt. Der Wachstumsprozess wird im Detail mit den wesentlichen Parametern für einen Wachstumserfolg dokumentiert
Schlagworte
GaN
Kooperationen im Projekt
Kontakt
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6711384
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