Realisierung von Photonic-Bandgap Strukturen auf GaN-basierten LED-Schichten auf Silizium
Projektleiter:
Finanzierung:
Fördergeber - Sonstige;
Eine Verbesserung der Lichtauskopplung von GaN basierten LED Strukturen soll mittels Nanostrukturierter Oberflächen erzielt werden. Dazu werden MOCVD gewachsene Schichten mit nanometergroßen Polystyrolkugeln beschichtent und anschließend geätzt.
Schlagworte
LED GaN
Kontakt
apl. Prof. Dr. Armin Dadgar
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Fakultät für Naturwissenschaften
Universitätsplatz 2
39106
Magdeburg
Tel.:+49 391 6751384
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