NEUE MATERIALIEN GEGEN -VERGESSLICHE- SPEICHER IN COMPUTERN
Bei den heute üblicherweise in Rechnern eingesetzten DRAM-Speichermodulen müssen eingegebene Informationen stetig aufgefrischt werden. Bei dieser Dynamischen Speicherung gehen nach einem Herunterfahren des Rechners alle Informationen verloren.
Unter Verwendung neuer metallorganischer Verbindungen der Elemente Germanium, Antimon und Tellur wollen der Halbleiter-Experte Prof. Edmund P. Burte und sein Kollege, der Chemiker Prof. Frank T. Edelmann im Reinstraum der Universität mithilfe der Atomlagenabscheidung eine Germanium-Antimon-Tellurid-Verbindung herstellen. Bei diesem Material kann durch geeignete Strompulse sein Widerstand von groß auf klein und umgekehrt umgeschaltet werden, wobei dieser Widerstandswert auch im spannungslosen Zustand erhalten bleibt. Damit wird über den Wert des Materialwiderstandes die Möglichkeit eröffnet, einmal eingegebene binäre Informationen ausdauernd zu speichern (Permanente Speicherung).
Das Material aus den drei Elementen eignet sich besonders zur Verwendung in nicht-flüchtigen Phasenwechsel-Speicherzellen der Halbleitertechnik. Die zu entwickelnden metallorganischen Germanium-, Antimon- und Tellurverbindungen müssen Halogen-frei sein, um spätere Korrosionserscheinungen in elektronischen Datenspeicher-Bauelementen ausschließen zu können.
Die Deutsche Forschungsgemeinschaft DFG fördert das Projekt mit über 500 Tausend Euro in den nächsten drei Jahren.
Unter Verwendung neuer metallorganischer Verbindungen der Elemente Germanium, Antimon und Tellur wollen der Halbleiter-Experte Prof. Edmund P. Burte und sein Kollege, der Chemiker Prof. Frank T. Edelmann im Reinstraum der Universität mithilfe der Atomlagenabscheidung eine Germanium-Antimon-Tellurid-Verbindung herstellen. Bei diesem Material kann durch geeignete Strompulse sein Widerstand von groß auf klein und umgekehrt umgeschaltet werden, wobei dieser Widerstandswert auch im spannungslosen Zustand erhalten bleibt. Damit wird über den Wert des Materialwiderstandes die Möglichkeit eröffnet, einmal eingegebene binäre Informationen ausdauernd zu speichern (Permanente Speicherung).
Das Material aus den drei Elementen eignet sich besonders zur Verwendung in nicht-flüchtigen Phasenwechsel-Speicherzellen der Halbleitertechnik. Die zu entwickelnden metallorganischen Germanium-, Antimon- und Tellurverbindungen müssen Halogen-frei sein, um spätere Korrosionserscheinungen in elektronischen Datenspeicher-Bauelementen ausschließen zu können.
Die Deutsche Forschungsgemeinschaft DFG fördert das Projekt mit über 500 Tausend Euro in den nächsten drei Jahren.