Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen zwei- oder dreidimensionalen Schaltungsträgers. Charakteristisch ist, dass ausgehend von einem nahezu beliebig zweidimensional oder dreidimensional geformten Grundkörper durch Wiederholung der beiden Verfahrensschritte "Metallisieren einer dielektrischen Schicht" und "Aufspritzen einer dielektrischen Isolationsschicht im Spritzgiessverfahren" ein mehrlagiger zwei- oder dreidimensionaler Schaltungsträger hergestellt wird. Für den Erfolg des erfindungsgemässen Verfahrens ist es wichtig, dass der Haftverbund zwischen den dielektrischen Isolationsschichten entscheidend verbessert wird, indem die jeweils oberste dielektrische Isolationsschicht vor dem Überspritzen mit der folgenden dielektrischen Isolationsschicht durch partielles Aufschmelzen oder partiellen Materialabtrag mittels elektromagnetischer Strahlung mindestens bereichsweise aufgeraut wird. Durch die Bestrahlung der nicht metallisierten Bereiche der jeweiligen dielektrischen Isolationsschicht entstehen an deren Oberfläche Mikroporösitäten und Hinterscheidungen, sodass die Oberflächenrauheit als Voraussetzung für einen verbesserten Haftverbund in definierter Weise zunimmt.
[patent_img=null img_id=101 with_caption=false with_title="truefloat=none"][/patent_img]