Charakterisierung der Wechselwirkung von Prozessbedingungen und Strukturverhalten in Siliciumbauelementen

Durch den Einsatz komplexer analytischer und diagnostischer Verfahren werden strukturelle, morphologische und chemische Kenngrößen an vorgegebenen hochintegrierten Bauelementstrukturen bzw. Sensorkomponenten der Mikroelektronik untersucht und bewertet und zur Ermittlung von Schwachstellen, Fehler- bzw. Ausfallursachen eingesetzt. Auf der Grundlage von Ergebnissen der physikalischen Fehleranalyse und zu entwickelnder Modellvorstellungen werden gemeinsam mit Industriepartnern Vorschläge erarbeitet, entspre-chend dem Layout und der zum Einsatz kommenden Materialien und Prozesse die Parameter bei der IC- bzw. Sensorfertigung so aufeinander abzustimmen, dass Ausbeute, Qualität und Zuverlässigkeit der Bauelemente stabilisiert und weiter erhöht werden. Weiterhin werden neue geeignete Verfahren für die Fehlerlokalisierung, Zielpräparation und elektronen- bzw. ionenoptische Analyse (FIB, SEM, TEM) entwickelt und die Wechselwirkung mit der Aufbau- und Verbindungstechnik berücksichtigt (FEM).