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Investigation of oxide thin films deposited by atomic layer deposition as dopant source for ultra-shallow doping of silicon
Kalkofen, Bodo ; Amusan, Akinwumi A. ; Lisker, Marco ; Burte, Edmund P.
Microelectronic engineering. - [S.l.] ] : Elsevier, Bd. 109.2013, S. 113-116
Impact : 1.283
Bibliographie: Begutachteter Zeitschriftenartikel Link 2 Zitationen
Prof. Dr. Edmund P. Burte

Universitätsplatz 2

39106 Magdeburg

Tel.+49 391 6758398

Fax:+49 391 6712103

edmund.burte@ovgu.de

Professor Dr.-Ing. Edmund P. Burte ist Inhaber des Lehrstuhls Halbleitertechnologie an der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg. In seiner Forschung beschäftigt sich Prof. Burte mit der Entwicklung neuer Prozesse für die Halbleitertechnologie und der Verbesserung bereits bekannter Prozesse. Schwerpunkte bilden dabei die Reinigung von Silicium-Oberflächen und die Abscheidung dünner Schichten aus geeigneten gasförmigen Ausgangsprodukten. Die dabei gewonnenen Ergebnisse fließen u.a. ein in die Entwicklung neuer, schnellerer Speicherbauelemente mit geringerem Energiebedarf für zukünftige Rechnergenerationen, in die Entwicklung von Sensoren für die Gebäudeleittechnik, für die Verbesserung der Betriebsführung von Windenergieanlagen und für den Automobilbau.
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