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Publikation

Crack-free, highly conducting GaN layers on Si substrates by Ge doping

Dadgar, Armin ; Bläsing, Jürgen ; Diez, Annette ; Krost, Alois
Applied physics express. - Tokyo : Ōyō Butsuri Gakkai, Bd. 4.2011, insges. 3 S.
Impact : 2.223
Bibliographie: Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift Link 34 Zitationen
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