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Crack-free, highly conducting GaN layers on Si substrates by Ge doping
Dadgar, Armin ; Bläsing, Jürgen ; Diez, Annette ; Krost, Alois
Applied physics express: APEX - Tokyo: IOP Publ, 4.2011, Art. 011001, insgesamt 3 S.;
Impact : 2.223
Bibliographie: Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift Link 37 Zitationen
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