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Publikation

Comment on "the effects of Si doping on dislocation movement and tensile stress in GaN films"

Dadgar, Armin ; Krost, Alois
Journal of applied physics. - Melville, NY : AIP, Bd. 110.2011, 9, insges. 2 S.
Impact : 2.079
Bibliographie: Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift Link 1 Zitation
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