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Comment on "the effects of Si doping on dislocation movement and tensile stress in GaN films"
Dadgar, Armin ; Krost, Alois
Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 9, Art. 096110, insgesamt 2 S.;
Impact : 2.079
Bibliographie: Originalartikel in begutachteter internationaler Zeitschrift Link 1 Zitation
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