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Thermal Assessment of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors
Finanzierung:
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) ;
Ein besonders vielversprechender neuartiger Transistortyp (AlInN HEMT) erlaubt z.B. höhere Stromdichten als herkömmliche Strukturen. Die Betriebssicherheit dieses Transistortyps ist bislang nicht ausreichend untersucht  und soll mittels Vergleichen von Transistor-Kennlinien zu bildgebenden thermischen Verfahren analysiert  werden. Insbesondere wird Raman-Spektroskopie zum Einsatz kommen.

Schlagworte

Gruppe III-Nitride, Transistoren mit hoher Beweglichkeit

Kooperationen im Projekt

Kontakt
PD Dr. Martin Feneberg

PD Dr. Martin Feneberg

Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Fakultät für Naturwissenschaften

Institut für Experimentelle Physik

Universitätsplatz 2

39106

Magdeburg

Tel.+49 391 6758902

Fax:+49 391 6718108

martin.feneberg(at)ovgu.de

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