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Fundamentale Eigenschaften hochdotierter III-Nitridhalbleiter

Finanzierung:
Haushalt;
Die technologisch, wissenschaftlich und kommerziell extrem wichtige II-Nitrid Halbleiterfamilie erlaubt die Herstellung von p-dotiertem, undotiertem (semi-isolierenden) bis zu hoch n-dotiertem Material. Die optischen Eigenschaften sind stark abhängig von der Dotierung. In diesem Projekt werden grundlegende Zusammenhänge zwischen Dotierung und linearer optischer Antwort systematisch untersucht. Das fängt bei der effektiven Elektronmasse an, schließt die Phonon-Plasmon Kopplung mit ein und reicht bis zur Abhängigkeit der Absorptionskante von den wechselseitig wirkenden Mechanismem Renormierung und Bandauffüllung.

Schlagworte

Dotierung, gallium nitride, optische Spektroskopie

Kooperationen im Projekt

Publikationen

2014
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2013
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Kontakt

PD Dr. Martin Feneberg

PD Dr. Martin Feneberg

Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Fakultät für Naturwissenschaften

Institut für Experimentelle Physik

Universitätsplatz 2

39106

Magdeburg

Tel.+49 391 6758902

Fax:+49 391 6718108

martin.feneberg(at)ovgu.de

weitere Projekte

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